Method for fabricating nanowires for horizontal gate all around devices for semiconductor applications

WO2017120102 Art A1 13. Juli 2017

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017120102
Aktenzeichen: EP16884226
Anmeldetag: 29. Dezember 2016
Veröffentlichung: 13. Juli 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L21/02H01L29/41H01L21/768H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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