Atomic layer etching system with remote plasma source and dc electrode
WO2017120241
Art A1
13. Juli 2017
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017120241
- Aktenzeichen
- EP17736264
- Anmeldetag
- 4. Januar 2017
- Veröffentlichung
- 13. Juli 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065H01L21/67H01L21/3213H05H1/46H01L21/683
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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