Method for implantation of semiconductor wafers having high bulk resistivity

WO2017123438 Art A1 20. Juli 2017

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017123438
Aktenzeichen: EP17738745
Anmeldetag: 4. Januar 2017
Veröffentlichung: 20. Juli 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01J37/317H01L21/425H01L21/67H01J37/30H01J27/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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