Multi-layer boron nitride-based rram device and preparation method therefor
WO2017124443
Art A1
27. Juli 2017
Anmelder: Soochow University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017124443
- Aktenzeichen
- EP16885716
- Anmeldetag
- 22. Januar 2016
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/24H01L45/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soochow University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Soochow University
Soochow University ist eine staatliche Universität in Suzhou, China, mit breitem Fächerspektrum einschließlich Materialwissenschaft und Chemie.
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