Operation method of resistive random access memory and resistive random access memory device

WO2017124873 Art A1 27. Juli 2017

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017124873
Aktenzeichen: EP16886133
Anmeldetag: 22. Dezember 2016
Veröffentlichung: 27. Juli 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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