Gas field ionization source, ion beam device, and beam irradiation method

WO2017134817 Art A1 10. August 2017

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017134817
Aktenzeichen: EP16889303
Anmeldetag: 5. Februar 2016
Veröffentlichung: 10. August 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01J27/26H01J37/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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