Etching method and etching device

WO2017134930 Art A1 10. August 2017

Anmelder: Central Glass Company, Limited, Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017134930
Aktenzeichen: EP16889413
Anmeldetag: 9. Dezember 2016
Veröffentlichung: 10. August 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/3065H01L21/3205H01L21/3213H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Central Glass Company, Limited
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Central Glass

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.

805 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von