Silicon Carbide Single Crystal Substrate

WO2017138383 Art A1 17. August 2017

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017138383
Aktenzeichen: EP17750108
Anmeldetag: 30. Januar 2017
Veröffentlichung: 17. August 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36G01N23/207

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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