Semiconductor device, power module, method for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing power module

WO2017138402 Art A1 17. August 2017

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2017138402
Aktenzeichen
EP17750127
Anmeldetag
31. Januar 2017
Veröffentlichung
17. August 2017
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/29H01L21/56H01L23/31
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Rohm Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen