Method for forming contact hole pattern and composition

WO2017138440 Art A1 17. August 2017

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017138440
Aktenzeichen: EP17750164
Anmeldetag: 2. Februar 2017
Veröffentlichung: 17. August 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768B05D3/12B05D7/00G03F7/40H01L21/027H01L21/3065H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

1.781 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik Verfahrens- & Trenntechnik

Vertreten von