Mask blank, method for manufacturing phase-shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

WO2017141605 Art A1 24. August 2017

Anmelder: HOYA Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017141605
Aktenzeichen: EP17752869
Anmeldetag: 17. Januar 2017
Veröffentlichung: 24. August 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/26C23C14/04C23C14/06G03F1/80H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: HOYA Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hoya

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, aktiv in den Bereichen optische Gläser, Halbleiterfotomasken und medizinische Endoskopie- sowie Augenheilkundeprodukte.

1.653 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von