Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film and method for producing patterned substrate

WO2017141612 Art A1 24. August 2017

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017141612
Aktenzeichen: EP17752876
Anmeldetag: 18. Januar 2017
Veröffentlichung: 24. August 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/26H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

1.781 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von