Preparation method for oxide thin film, and thin film transistor

WO2017143626 Art A1 31. August 2017

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017143626
Aktenzeichen: EP16891080
Anmeldetag: 3. März 2016
Veröffentlichung: 31. August 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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