Integrated bootstrap high-voltage driver chip and technological structure thereof
WO2017143898
Art A1
31. August 2017
Anmelder: Southeast University, Southeast University-Wuxi Integrated Circuit Technology Research Institute 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017143898
- Aktenzeichen
- EP17755727
- Anmeldetag
- 23. Januar 2017
- Veröffentlichung
- 31. August 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H03K17/687H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Southeast University
Southeast University-Wuxi Integrated Circuit Technology Research Institute - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
748 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.