Semiconductor storage device
WO2017145312
Art A1
31. August 2017
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017145312
- Aktenzeichen
- EP16891469
- Anmeldetag
- 25. Februar 2016
- Veröffentlichung
- 31. August 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/418
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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