Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2017145632 Art A1 31. August 2017

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017145632
Aktenzeichen: EP17756074
Anmeldetag: 26. Januar 2017
Veröffentlichung: 31. August 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304B24B27/06B28D5/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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