Dispersion for forming ion implantation mask, method for forming ion implantation mask, and method for manufacturing semiconductor device

WO2017146110 Art A1 31. August 2017

Anmelder: Teijin Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017146110
Aktenzeichen: EP17756548
Anmeldetag: 22. Februar 2017
Veröffentlichung: 31. August 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/266

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Teijin Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Teijin

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Hochleistungsfasern, Kunststoffe und pharmazeutische Produkte. Das Unternehmen wurde 1918 als Textilhersteller gegründet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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