Memory circuit with leakage compensation

WO2017147310 Art A1 31. August 2017

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017147310
Aktenzeichen: EP17757219
Anmeldetag: 23. Februar 2017
Veröffentlichung: 31. August 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/00G11C11/4074

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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