Method for determining a suitable energy for implantation in a donor substrate and process for fabricating a semiconductor-on-insulator structure

WO2017149253 Art A1 8. September 2017

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017149253
Aktenzeichen: EP17711722
Anmeldetag: 2. März 2017
Veröffentlichung: 8. September 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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