Semiconductor substrate composed of silicon carbide and method for manufacturing same
WO2017149945
Art A1
8. September 2017
Anmelder: Denso Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017149945
- Aktenzeichen
- EP17759417
- Anmeldetag
- 12. Januar 2017
- Veröffentlichung
- 8. September 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C30B25/20H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Denso Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Denso
Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.
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