Semiconductor/insulator reversible-change thin film and method for manufacturing same
WO2017150617
Art A1
8. September 2017
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017150617
- Aktenzeichen
- EP17760081
- Anmeldetag
- 1. März 2017
- Veröffentlichung
- 8. September 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8239H01L21/336H01L21/368H01L27/105H01L29/786H01L45/00H01L49/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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