Field effect transistors with a gated oxide semiconductor source/drain spacer

WO2017151148 Art A1 8. September 2017

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017151148
Aktenzeichen: EP16892892
Anmeldetag: 4. März 2016
Veröffentlichung: 8. September 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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