Embedded high-voltage ldmos-scr device having strong voltage clamping and esd robustness

WO2017152414 Art A1 14. September 2017

Anmelder: Jiangnan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017152414
Aktenzeichen: EP16893065
Anmeldetag: 11. März 2016
Veröffentlichung: 14. September 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Jiangnan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Jiangnan University

Jiangnan University ist eine staatliche Universität in Wuxi, China, mit einem Forschungsschwerpunkt auf Lebensmittelwissenschaft, Biotechnologie und Fermentationstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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