Aluminum nitride film, method for manufacturing aluminum nitride film, and high-breakdown-voltage component

WO2017154774 Art A1 14. September 2017

Anmelder: Shibaura Institute of Technology, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017154774
Aktenzeichen: EP17763114
Anmeldetag: 3. März 2017
Veröffentlichung: 14. September 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C04B35/581C23C14/06C23C26/00H01L23/12H01L23/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Shibaura Institute of Technology
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

411 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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