Method for manufacturing semiconductor substrate having group-iii nitride compound layer

WO2017154924 Art A1 14. September 2017

Anmelder: Nissan Chemical Corporation, Nagoya University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017154924
Aktenzeichen: EP17763264
Anmeldetag: 7. März 2017
Veröffentlichung: 14. September 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065C08G12/08C08G65/40G03F7/11G03F7/26G03F7/40H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Nissan Chemical Corporation
Nagoya University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von