Semiconductor device

WO2017155122 Art A1 14. September 2017

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017155122
Aktenzeichen: EP17763454
Anmeldetag: 10. März 2017
Veröffentlichung: 14. September 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L21/76H01L21/8234H01L27/06H01L29/06H01L29/739H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von