Selection device for use in bipolar resistive memory and manufacturing method therefor

WO2017156755 Art A1 21. September 2017

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017156755
Aktenzeichen: EP16893920
Anmeldetag: 18. März 2016
Veröffentlichung: 21. September 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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