Method for producing gan crystal

WO2017159311 Art A1 21. September 2017

Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation, National University Corporation Tokyo University Of Agriculture and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017159311
Aktenzeichen: EP17766315
Anmeldetag: 27. Februar 2017
Veröffentlichung: 21. September 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/34C30B25/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Mitsubishi Chemical Corporation
National University Corporation Tokyo University Of Agriculture and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

2.926 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von