Semiconductor device and manufacturing method

WO2017159640 Art A1 21. September 2017

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017159640
Aktenzeichen: EP17766639
Anmeldetag: 13. März 2017
Veröffentlichung: 21. September 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/41H01L21/28H01L21/3065H01L21/336H01L29/06H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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