Production method for seed crystal substrate, production method for group-13 element nitride crystal, and seed crystal substrate
WO2017163548
Art A1
28. September 2017
Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017163548
- Aktenzeichen
- EP17769595
- Anmeldetag
- 13. Januar 2017
- Veröffentlichung
- 28. September 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B19/12H01L21/208
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK Insulators, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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