Measurement method and measurement system for thermal stability index of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit
WO2017164229
Art A1
28. September 2017
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017164229
- Aktenzeichen
- EP17770269
- Anmeldetag
- 22. März 2017
- Veröffentlichung
- 28. September 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/66H01L21/8239H01L27/105H01L43/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
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