Palladium-free chemical copper plating method

WO2017166851 Art A1 5. Oktober 2017

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017166851
Aktenzeichen: EP16896619
Anmeldetag: 7. Dezember 2016
Veröffentlichung: 5. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C23C18/18C23C18/40C23C18/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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