Semiconductor on insulator substrate for rf applications

WO2017167923 Art A1 5. Oktober 2017

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017167923
Aktenzeichen: EP17713689
Anmeldetag: 30. März 2017
Veröffentlichung: 5. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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