Method of manufacturing silicon epitaxial wafer

WO2017169290 Art A1 5. Oktober 2017

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017169290
Aktenzeichen: EP17773838
Anmeldetag: 21. Februar 2017
Veröffentlichung: 5. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/02C23C16/24C30B25/20C30B29/06H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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