Transistors Including Retracted Raised Source/drain To Reduce Parasitic Capacitances

WO2017171752 Art A1 5. Oktober 2017

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2017171752
Aktenzeichen
EP16897306
Anmeldetag
30. März 2016
Veröffentlichung
5. Oktober 2017
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/78H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
INTEL Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.637 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen