High mobility asymmetric field effect transistors with a band-offset semiconductor drain spacer

WO2017171824 Art A1 5. Oktober 2017

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017171824
Aktenzeichen: EP16897364
Anmeldetag: 31. März 2016
Veröffentlichung: 5. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von