Integrated 1T1R Rram Memory Cell
WO2017171866
Art A1
5. Oktober 2017
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017171866
- Aktenzeichen
- EP16897405
- Anmeldetag
- 1. April 2016
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C13/00G06F12/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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