Semiconductor device
WO2017171927
Art A1
5. Oktober 2017
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017171927
- Aktenzeichen
- EP16897449
- Anmeldetag
- 30. September 2016
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G06F12/02G11C8/08G11C8/10G11C11/408
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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