Micro-size devices formed by etch of sacrificial epitaxial layers

WO2017171947 Art A1 5. Oktober 2017

Anmelder: X Development LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017171947
Aktenzeichen: EP16897457
Anmeldetag: 16. Dezember 2016
Veröffentlichung: 5. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/12H01L33/22H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: X Development LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 X Development

X Development, bekannt als X (vormals Google X), ist der Moonshot-Inkubator des Alphabet-Konzerns für experimentelle Technologieprojekte. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch Nachrichtentechnik sowie Luft- und Raumfahrttechnik. Anmeldungen laufen seit 2011 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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