Nand structure with tier select gate transistors

WO2017172072 Art A1 5. Oktober 2017

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2017172072
Aktenzeichen
EP17708030
Anmeldetag
13. Februar 2017
Veröffentlichung
5. Oktober 2017
Rechtsraum
WO
IPC
G11C16/04G11C16/34G11C16/10G11C16/16G11C11/56
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SanDisk Technologies LLC
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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