Basno3 thin film and low-temperature preparation method therefor

WO2017176038 Art A1 12. Oktober 2017

Anmelder: Korea Research Institute of Chemical Technology, UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2017176038
Aktenzeichen
EP17779338
Anmeldetag
4. April 2017
Veröffentlichung
12. Oktober 2017
Rechtsraum
WO
IPC
H01L31/0216H01L31/0392H01L31/18H01L21/02H01L21/324C01G19/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Korea Research Institute of Chemical Technology
UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology)
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Korea Research Institute of Chemical Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon, tätig in der Entwicklung von Chemikalien, Materialien und Verfahrenstechnik.

611 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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