Large-current readout ferroelectric single crystal thin film memory, and preparation method and operating method therefor

WO2017177376 Art A1 19. Oktober 2017

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017177376
Aktenzeichen: EP16898195
Anmeldetag: 12. April 2016
Veröffentlichung: 19. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/22H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

581 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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