Mos transistor for suppressing generation of photo-induced leakage current in active channel region, and application of same

WO2017177519 Art A1 19. Oktober 2017

Anmelder: Sun Yat-Sen University, Sun Yat-Sen University Carnegie Mellon University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017177519
Aktenzeichen: EP16898334
Anmeldetag: 31. Mai 2016
Veröffentlichung: 19. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L27/12H01L21/77

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firmen: Sun Yat-Sen University
Sun Yat-Sen University Carnegie Mellon University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Sun Yat-Sen University

Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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