Gan Devices Fabricated Via Wafer Bonding

WO2017181167 Art A1 19. Oktober 2017

Anmelder: Massachusetts Institute Of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017181167
Aktenzeichen: EP17783350
Anmeldetag: 17. April 2017
Veröffentlichung: 19. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00H01L21/302H01L21/461

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute Of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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