Nand memory structure, method for forming same and three-dimensional memory structure

WO2017181945 Art A1 26. Oktober 2017

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017181945
Aktenzeichen: EP17785429
Anmeldetag: 19. April 2017
Veröffentlichung: 26. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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