Semiconductor device, power module, and method for manufacturing same

WO2017183580 Art A1 26. Oktober 2017

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017183580
Aktenzeichen: EP17785918
Anmeldetag: 14. April 2017
Veröffentlichung: 26. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L21/3205H01L21/768H01L23/522H01L29/12H01L29/417H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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