Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

WO2017184523 Art A1 26. Oktober 2017

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017184523
Aktenzeichen: EP17786420
Anmeldetag: 17. April 2017
Veröffentlichung: 26. Oktober 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11585H01L21/28H01L29/51H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von