Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

WO2017187760 Art A1 2. November 2017

Anmelder: Denso Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017187760
Aktenzeichen: EP17789049
Anmeldetag: 28. Februar 2017
Veröffentlichung: 2. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Denso Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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