High power generation efficiency compound semiconductor thin-film solar cell, and method for manufacturing same

WO2017187871 Art A1 2. November 2017

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017187871
Aktenzeichen: EP17789160
Anmeldetag: 29. März 2017
Veröffentlichung: 2. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0749H01L31/0463

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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