Amorphous oxide thin film transistor for securing light stability

WO2017188658 Art A1 2. November 2017

Anmelder: Korea University Research and Business Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017188658
Aktenzeichen: EP17789843
Anmeldetag: 20. April 2017
Veröffentlichung: 2. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L29/41H01L21/02H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea University Research and Business Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea University Research and Business Foundation

Südkoreanische Einrichtung, die Forschungsprojekte und Technologietransfer der Korea University verwaltet, patentiert Ergebnisse aus universitärer Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin und überführt sie in Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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